當前位置:首頁 > 科技文檔 > 武器工業(yè)與軍事技術(shù) > 正文

單片并聯(lián)式半導體橋換能元能量轉(zhuǎn)換效率影響因素分析

火工品 頁數(shù): 5 2024-10-10
摘要: 為了研究激勵能量和橋區(qū)結(jié)構(gòu)對半導體橋換能元能量轉(zhuǎn)換效率的影響,設(shè)計了兩種不同單片并聯(lián)式橋區(qū)結(jié)構(gòu)的半導體橋換能元,并在電容激勵條件下進行測試,以評估并聯(lián)式橋區(qū)結(jié)構(gòu)的能量轉(zhuǎn)換效率,進一步得到電壓、橋區(qū)面積對能量轉(zhuǎn)換效率的影響規(guī)律。試驗結(jié)果表明:在47μF電容和25~35 V充電電壓條件下,雙橋區(qū)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的能量轉(zhuǎn)換效率略優(yōu)于三橋區(qū)并聯(lián)結(jié)構(gòu)。在同一電容激勵條件下,同一橋區(qū)結(jié)構(gòu)半導體橋換... (共5頁)

開通會員,享受整站包年服務(wù)