GaSb襯底厚度對(duì)超晶格電學(xué)特性影響的研究

摘要： 非故意摻雜的GaSb存在施主缺陷，呈現(xiàn)p型導(dǎo)電，導(dǎo)電性較好。對(duì)于分子束外延制備的Sb基超晶格材料，通常用GaSb做襯底，而GaSb襯底厚度遠(yuǎn)大于超晶格材料厚度，因此對(duì)銻基二類超晶格材料進(jìn)行霍爾測(cè)試時(shí)GaSb襯底厚度對(duì)超晶格電學(xué)性能容易產(chǎn)生較大影響。而在紅外探測(cè)器制備過程中，為了增加材料對(duì)紅外輻射的吸收，通常在器件制備完成后對(duì)襯底進(jìn)行減薄，通過背入射的方式對(duì)紅外輻射進(jìn)行探測(cè)，因此... （共8頁(yè)）