寬波段響應(yīng)硅雪崩光電探測器研究

摘要： 本文基于目前對寬波段探測器的應(yīng)用需求，設(shè)計了一種在250～1 100 nm范圍有較高響應(yīng)的硅雪崩光電探測器（Si APD），不需要拼接即可實現(xiàn)紫外-可見-近紅外波段光的高效探測。分別對硅的紫外增強和（近）紅外增強進行了分析，在此基礎(chǔ)上，為獲得寬波段響應(yīng)Si APD，對器件結(jié)構(gòu)進行模擬設(shè)計，采用光背入射等方式，提高短波吸收，同時保證近紅外吸收。模擬優(yōu)化的Si APD器件峰值波長9... （共8頁）