增強型Cascode結(jié)構(gòu)GaN HEMT器件中子輻照效應研究

摘要： 為探究增強型共源共柵（Cascode）結(jié)構(gòu)GaN HEMT器件的中子輻照效應及機理，首先利用歸一化能量為1 MeV、注量為1×10¹⁴ n/cm~2的中子源開展輻照效應試驗，并對輻照前/后器件的電學特性進行測試，結(jié)果表明，經(jīng)過中子輻照后，器件的閾值電壓發(fā)生明顯的負向漂移，且跨導峰值減小。后續(xù)又分別對器件中級聯(lián)的增強型Si MOSFET和耗盡型GaN HEMT開展Geant... （共8頁）