重離子源類別對SiC MOSFET單粒子效應的影響

摘要： SiC金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為第三代航天器用半導體器件，在應用前須經過抗單粒子效應試驗評估。文章探究重離子加速器恒定式和脈沖式束流源這兩種不同類別的輻照源對SiC MOSFET單粒子效應的影響。試驗結果表明兩種束流源對SiC MOSFET漏電退化影響不同。采用TCAD對SiC MOSFET單粒子效應進行仿真的結果顯示，當2個離子在相差100 ps的間隔... （共8頁）