基于101.6 mm晶圓35 nm InP HEMT工藝的340 GHz低噪聲放大器芯片研制

摘要： 實(shí)現(xiàn)了在101.6 mm InP晶圓上制備35 nm的增強(qiáng)型InP高電子遷移率晶體管。通過(guò)InAs復(fù)合溝道外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得室溫二維電子氣遷移率面密度乘積達(dá)到4.2×10¹⁶/（V·s）。采用了鉑鈦鉑金埋柵工藝技術(shù)，典型器件最大跨導(dǎo)達(dá)到2 900 mS/mm，電流增益截止頻率達(dá)到460 GHz，最高振蕩頻率為720 GHz。同時(shí)研制出340 GHz低噪聲放大器芯片，在31... （共5頁(yè)）