一種改進型抑制SiC MOSFET橋臂串擾的門極驅(qū)動設(shè)計

摘要： 針對傳統(tǒng)驅(qū)動中SiC MOSFET在高開關(guān)頻率下其寄生參數(shù)造成的橋臂串擾更加嚴重，而現(xiàn)有抑制串擾驅(qū)動電路多以增加開關(guān)損耗、增長開關(guān)延時和增加控制復(fù)雜度為代價的問題，根據(jù)降低串擾產(chǎn)生過程中驅(qū)動回路阻抗的思路，提出1種在柵源極間增加PNP三極管串聯(lián)二極管和電容的新型有源米勒鉗位門極驅(qū)動設(shè)計，分析其工作原理，并對改進驅(qū)動電路并聯(lián)電容參數(shù)進行計算設(shè)計；搭建直流母線電壓為300 V的同步... （共9頁）