二維硒氧化鉍材料的制備方法研究進(jìn)展

摘要： 硒氧化鉍是一種新興的二維半導(dǎo)體材料，其具有較高的載流子遷移率，優(yōu)異的熱學(xué)、化學(xué)穩(wěn)定性，機(jī)械柔韌性好等特點(diǎn)。在光電子學(xué)、能量存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但是目前二維硒氧化鉍薄膜的合成一般采用自下而上或自上而下的方法。獲得大尺寸、原子級(jí)厚度的二維硒氧化鉍單晶以及有效的轉(zhuǎn)移薄膜仍是其制備過程中需要進(jìn)一步研究的關(guān)鍵問題。本文綜述了國(guó)內(nèi)外關(guān)于二維硒氧化鉍材料的制備方法，從前驅(qū)體、反應(yīng)條... （共14頁）