3D封裝中硅通孔的電–熱–結構耦合分析

摘要： 本文利用有限元分析軟件對3D集成芯片中不同形狀的硅通孔(TSV)結構進行電–熱–結構耦合分析。研究結果表明：圓環(huán)形TSV的應力水平遠小于圓柱形和圓錐形TSV。在相同激勵電壓下，減小TSV直徑、增大TSV高度、減小SiO2厚度均可提高TSV的可靠性。對圓環(huán)形TSV進行正交實驗發(fā)現(xiàn)，TSV的直徑和中間介質(zhì)對最高溫度、最大應力影響程度較大。在單層TSV陣列中，當中心間距較小時，圓環(huán)形... （共9頁）