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MOCVD技術(shù)制備In2O3紫外光電探測器研究

微納電子技術(shù) 頁數(shù)： 8 2024-12-15
摘要： 采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法分別在藍(lán)寶石、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯(YSZ)和藍(lán)寶石上p-GaN襯底上生長In2O3薄膜，生長溫度為600℃。利用高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、霍爾系統(tǒng)對3種薄膜進(jìn)行了表征，結(jié)果表明YSZ基In2O3薄膜的最小半峰寬(FWHM)為0.23°,表面粗糙度為1.99 nm,霍爾遷移... （共8頁）

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