基于選區(qū)外延法的單片異質(zhì)集成GaN/Si的研究

摘要： 將GaN器件與Si集成電路進行單片異質(zhì)集成是當前微電子領域的前沿研究方向之一，而直接從材料定義系統(tǒng)的選區(qū)外延法是其中最具潛力的技術途徑。針對選區(qū)外延法的實施過程中，選區(qū)外延GaN的高溫過程會嚴重影響已制Si集成電路功能的問題，提出一種MOSFET溝道熱擴裕量預留技術，并通過理論分析和仿真實驗驗證了該技術的可行性與有效性。研究結(jié)果克服了選區(qū)外延法的固有缺陷，能夠在實現(xiàn)GaN/Si... （共6頁）