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6H-SiC高速納米磨削的去除行為及亞表面損傷機(jī)制的分子動(dòng)力學(xué)仿真研究

機(jī)床與液壓 頁數(shù)： 8 2024-01-18
摘要： 6H-SiC在光電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，作為典型的硬脆性材料，其材料去除行為及亞表面損傷機(jī)制目前尚不清晰，高效地獲得光滑、平坦、低損傷的表面仍十分困難。采用分子動(dòng)力學(xué)模擬的方法研究磨削速度對(duì)6H-SiC去除行為及亞表面損傷的影響。結(jié)果表明：磨削時(shí)原子層有兩條去除路徑，即向左上方形成切屑，向右下方形成加工表面。在磨削深度為1 nm、磨削速度為100 m/s的條件下，工件通過相變、堆垛... （共8頁）

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