溝槽型MOSFET放大器γ射線輻照效應(yīng)研究
摘要: 研發(fā)高抗輻照性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)放大器等電子器件對(duì)于核環(huán)境作業(yè)機(jī)器人至關(guān)重要。用
60Co-γ射線對(duì)三個(gè)商用溝槽型MOSFET放大器進(jìn)行了原位輻照測(cè)試,研究了輻照前后的電學(xué)性能變化。結(jié)果表明:三個(gè)MOSFET放大器分別在累計(jì)輻照總劑量達(dá)到982.... (共8頁(yè))
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