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基于UIS測(cè)試的Si/SiC級(jí)聯(lián)器件雪崩特性分析

高壓電器 頁數(shù)： 10 2024-12-16
摘要： 與機(jī)械式斷路器相比，使用半導(dǎo)體功率器件構(gòu)成的直流固態(tài)斷路器在響應(yīng)時(shí)間方面有較大的優(yōu)勢(shì)。由低壓硅金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Si MOSFET）和高壓碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）構(gòu)成的Si/SiC級(jí)聯(lián)型器件具有優(yōu)異的開斷特性。半導(dǎo)體功率器件可靠性一直是直流固態(tài)斷路器所關(guān)注的焦點(diǎn)問題，非箝位感性負(fù)載開關(guān)（unclamped inductive switching... （共10頁）

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